长信科技在第三季度业绩交流会上表示，在4F²在垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台完成了工程样品的验证，这是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。

根据行业实践，工程样品检验的完成意味着平台的核心性能参数在真实晶圆上达到了设计预期，客户端完成验证后可以进入大规模生产阶段。长鑫此前在公开演讲中表示，预计年底将面临服务器领域，服务器领域是最难使用的领域之一，结合4F²新一代DDR5先进技术技术技术 RDIMM产品。

就公开披露进展而言，长鑫正在公开披露。 4F²工程推广处于世界前列：三星、SK 海力士已经是将军了 4F²纳入 10nm 在以下关键方向，长鑫率先完成工程样品验证；如果后续进展顺利，长鑫有望成为世界上第一个着陆者 4F²的企业。

4F²被视为破解 DRAM 模块微缩瓶颈，3D DRAM 关键路径。DRAM 技术进化始终围绕着密度的提高——在相同尺寸的晶圆上集成更多的模块来稀释单位的比特成本。但是进入。 10nm 级后，原来 6F²已经步履艰难，接近物理极限。IEEE 国际设备及系统路线图（IRDS）明确指出：当半间隔微缩越来越困难时，“从 6F²向 4F²模块转换是维持成本趋势最有前途的方式。

4F²模块面积为 2F×2F（F 为光刻技术可实现的最小线距或间隔)，约为主流 6F²该模块的三分之二已成为世界主要存储制造商的共同选择。SK 海力士已将 4F²垂直栅（VG）平台与3D DRAM 并列为两大技术支柱，三星在 ISSCC 2026 发布 10nm 级 4F²论文，其 CTO 今年 10 月公开确定也在研发中；行业也取决于行业； 4F²为通往3D DRAM 必经阶段。

长鑫 4F²架构的核心是自主研究 VSG（Vertical Surrounding Gate，垂直围栏)晶体管。其垂直围护沟结构格栅控制强，可缓解短沟效应和漏电；在架构方面，该方案将是 DRAM 与 CMOS 解耦制造工艺，通过晶圆级混合键实现高速互联，提高逻辑性能、存储密度和可靠性。

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